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真空泵油工作原理
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發布時間：2016-12-19 17:18:59
真空泵油廠家_真空泵油工作原理
在半導體工業中，微電子組件建立在一個單晶的平面。 在生產過程中，層與特定的電特性（絕緣體，導體和層具有一定的導電性）被施加在彼此的頂部。 由于相鄰層的不同的特性，電子元件，如晶體管，電容器，電阻器等創建的。
生產集成電路，如摻雜的半導體基體材料，建立層，結構以及在分析過程中的真空技術被用在許多不同的過程。 生產在潔凈室。 真空泵使用，也可以直接在潔凈室的生產機械或在一個單獨的泵底板（地下室）的潔凈室的下方。
進程放置在所使用的泵的不同要求。 過程沒有腐蝕性，有毒或冷凝介質可以與不是專門配備用于處理腐蝕性氣體泵進行操作。 這些方法包括
負載鎖和傳輸室
PVD（物理氣相沉積）金屬不活性氣體氣氛
注入（束線和終端站）
退火在真空或惰性氣體氣氛（烘烤出來的晶體缺陷）
晶圓檢測
所使用的泵（L系列）中描述了第4.6.3 。 直接在潔凈室用泵不僅意味著前真空線到泵地下室和需要可以省略任何加熱，而且該電導率的損失可以減少，并且可再現裝置具有高工藝穩定性可以實現。
中型應用可以涉及腐蝕性化學品與一種傾向，凝結，但不生成顆粒。 這種類型的應用包括不同的過程如
氧化，灰化
RTP（快速熱加工;在高溫過程鹵素照明晶圓處理與了很高的評價）
的多晶硅，鋁或鎢干蝕刻
注入（來源）
某些CVD工藝
所用的泵（P系列）中描述章4.6.4 。 為了安全的原因，并由于鄰近的廢氣凈化系統中，進程泵經常安裝在地下室。
最苛刻的處理（苛刻工藝，H系列泵），使得有必要處理的顆粒，高腐蝕性化學物質或反應副產物和化學制品或以冷凝的傾向反應副產物。 這樣的方法的實例是：
MOCVD氮化鈦（金屬有機化學氣相沉積）
電介質的各向同性干法刻蝕
二氧化硅的HDP CVD（高密度等離子體化學氣相沉積）
二氧化硅的SACVD（亞大氣壓化學氣相沉積）
SACVD HARP（亞大氣壓化學氣相沉積，高縱橫比工藝）二氧化硅
渦輪分子泵（組合見第4.9.3.2有時也用于這些進程）和干運行的流程泵。
前面提到的方法的p和H泵使用的化學品與例如
高毒性，如砷化氫（為AsH 3）或磷化氫（PH 3）
腐蝕性高如等離子體活化三氟化氮（NF 3），六氟化硫（SF 6），碳氟化合物等
高氧化性能，如等離子體活化的氧或臭氧
金屬有機物化學品，如原硅酸四乙酯（TEOS），三甲硅烷基（TSA）
真空技術和真空處理技術的廣泛知識是必需的定義與長期穩定性和所有權的最低成本一個切實可行的解決方案。 此，例如，包括為了防止結露，由于太低的溫度下，形成粉末在過高的溫度下，或在泵的堵塞限定所述泵的工作溫度，如果化學品留在泵體太久。 除了溫度圖案的精確控制，經常需要不僅在泵本身，而且在生產廠，前真空線路和廢氣線路。
在太陽能行業和顯示器制造真空泵油往往類似于在半導體工業中所使用的流程。 由于較大的表面在這些行業要潤滑減少摩擦，該氣體通過量的要求較高然而，和需要的泵與相應的高泵送速度。
真空泵油廠家_真空泵油工作原理
在太陽能產業，抗反射層和氮化硅層構成鈍化表面被施加到太陽能電池內的等離子體CVD工藝，以更好地收獲了太陽的光。 這些不僅沉積在襯底如需要的話，也對真空室的壁上。 處理室必須在最近被清洗時已積累在墻壁上的各層不再允許控制的真空過程。 這是通過在原位等離子體進行清潔與強氧化劑NF 3。 如果泵（在這種情況下的AD 73 KH， 見章節4.6.5 ）在太低的溫度下進行操作，然后，如圖4.10，將反應產物六氟硅酸銨沉積在泵站。 理想的過程控制不僅包括工藝兼容泵和一個嘗試和測試，合格的一套運行參數也：
加熱的前真空線，以防止出現結露
在垂直前真空線的情況下的保護裝置，以防止物體從脫落到泵（例如，一個T形件與在垂直下端，并與該泵的輸出的水平空白凸緣）
軟啟動閥，以防止引發顆粒
在泵入口的泵在高溫下連續運轉，即使在上脫穎而出真空線路維護工作的一個截止閥
中脫穎而出真空A線泄漏檢測儀連接，盡可能靠近的前級泵。 泄漏會導致二氧化硅顆粒的形成。
泵和排氣凈化系統之間的加熱的排氣線路
的廢氣凈化系統
六氟硅酸銨的冷凝（NH <子> 4 </ SUB>）2SIF <SUB> 6 </ SUB>的根在過低的溫度下運轉泵
好評
中立
差評
